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2SK2750
- Artikel-Nr.: 2SK2750-TOS
TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE • Low drain−source ON resistance :... mehr
Produktinformationen "2SK2750"
TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE • Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 1.7 Ω (typ.) • High forward transfer admittance : |Yfs| = 3.0 S (typ.) • Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 600 V) • Enhancement mode : Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Case: SC-67
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